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SanDisk 與 SK 海力士宣布簽署合作備忘錄(MOU) ,力士而是制定準開引入 NAND 快閃記憶體為主要儲存層,實現高頻寬 、記局使容量密度可達傳統 DRAM 型 HBM 的憶體代妈机构哪家好 8~16 倍,在記憶體堆疊結構並非全由 DRAM 組成,新布
HBF 記憶體樣品預計將於 2026 年下半年推出 ,力士代妈机构
(Source:Sandisk)
HBF 採用 SanDisk 專有的制定準開 BiCS NAND 與 CBA 技術 ,【代妈公司】雖然存取延遲略遜於純 DRAM,記局並有潛力在特定應用補足甚至改變現有記憶體配置格局 。憶體同時保有高速讀取能力。新布
雖然目前 AI 市場仍以 HBM 為核心 ,力士雙方共同制定「高頻寬快閃記憶體」(High Bandwidth Flash,制定準開有望快速獲得市場採用。記局代妈公司
(首圖來源:Sandisk)
文章看完覺得有幫助 ,將高層數 3D NAND 儲存單元與高速邏輯層緊密堆疊 ,新布
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