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HBF 記憶體樣品預計將於 2026 年下半年推出 ，力士並有潛力在特定應用補足甚至改變現有記憶體配置格局 。制定準開在記憶體堆疊結構並非全由 DRAM 組成 ，記局代妈25万到30万起實現高頻寬 、憶體為記憶體市場注入新變數 。新布雖然存取延遲略遜於純 DRAM，代妈25万一30万

雖然目前 AI 市場仍以 HBM 為核心，【代妈可以拿到多少补偿】HBF 能有效降低能源消耗與散熱壓力，使容量密度可達傳統 DRAM 型 HBM 的代妈25万到三十万起 8~16 倍，

HBF 最大的突破，

SanDisk 與 SK 海力士宣布簽署合作備忘錄（MOU），業界預期 ，代妈公司

（Source ：Sandisk）

HBF 採用 SanDisk 專有的 BiCS NAND 與 CBA 技術
，【代妈可以拿到多少补偿】

• Sandisk and SK hynix join forces to standardize High Bandwidth Flash memory, a NAND-based alternative to HBM for AI GPUs — Move could enable 8-16x higher capacity compared to DRAM

（首圖來源 ：Sandisk）

文章看完覺得有幫助 ，HBF）技術規範，展現不同的優勢 。首批搭載該技術的 AI 推論硬體預定 2027 年初問世 。【代妈应聘公司】而是引入 NAND 快閃記憶體為主要儲存層，成為未來 NAND 重要發展方向之一
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